結構化晶圓表面厚膠噴涂工藝_楊芳.pdf

摘要：采用超聲霧化噴涂技術，以AZ4620光刻膠為研究對象，以硅通孔(TSV)刻蝕后的硅片 為基材，在12英寸(1英寸=2. 54 cm)結構化晶圓表面噴涂光刻膠形成薄膜。分別研究了稀釋 質量比、超聲功率、氮氣體積流量、噴嘴與晶圓表面的間距、載臺溫度等工藝參數(shù)對TSV硅片 表面噴涂質量的影響，最終通過優(yōu)化過程工藝參數(shù)，得到表面膠顆粒細小、膜厚均勻性好、臺階 覆蓋率高的涂覆刻蝕片。實驗結果表明，超聲霧化噴涂法可以很好地應用于三維結構表面涂覆， 克服了旋涂方法在三維結構應用中帶來的缺陷，同時有效地提高了光刻膠的利用率，在集成電路 (IC)制造和微電子機械系統(tǒng)(MEMS)工藝中有著廣闊的應用前景。