1、MEMS/半導(dǎo)體

 用于 MEMS 晶圓和其他具有不同形貌的基板的光刻膠超聲波噴涂

 在過(guò)去的十年中，已經(jīng)在 MEMS 晶圓和其他 3D 微結(jié)構(gòu)上進(jìn)行了直接噴涂光刻膠涂層，對(duì)噴涂沉積到深井（高）形貌的優(yōu)勢(shì)進(jìn)行了大量研究。與傳統(tǒng)的旋涂相比，使用超聲波噴涂的光刻膠涂層在沉積更均勻的涂層方面具有優(yōu)勢(shì)，特別是沿著高縱橫比溝槽和 V 型槽結(jié)構(gòu)中的側(cè)壁頂部，在這種情況下，離心旋涂無(wú)法沉積均勻的涂層。沿側(cè)壁涂膜，而不會(huì)在空腔底部沉積過(guò)多的光刻膠。

 超聲波噴涂是光刻晶圓加工中光刻膠涂層的簡(jiǎn)單、經(jīng)濟(jì)且可重復(fù)的工藝。RysenTech 超聲波鍍膜系統(tǒng)可以使用先進(jìn)的分層技術(shù)對(duì)流速、鍍膜速度和沉積量進(jìn)行精細(xì)控制。低速噴霧成型將霧化噴霧定義為精確、可控的圖案，避免過(guò)度噴涂，同時(shí)產(chǎn)生非常薄、均勻的涂層。使用超聲波技術(shù)的直接噴涂已被證明是一種可靠且有效的方法，可將光刻膠沉積到 3D 微結(jié)構(gòu)上，從而減少因金屬過(guò)度暴露于蝕刻劑而導(dǎo)致的設(shè)備故障。

超聲波噴嘴在直接噴涂光刻膠涂層工藝中的優(yōu)勢(shì)包括：

·各種表面輪廓的均勻薄膜覆蓋。

·能夠以優(yōu)異的均勻性涂覆高縱橫比的溝槽。

·不堵塞霧化噴霧。

·能夠以高均勻性沉積薄的單微米層。

·可重復(fù)驗(yàn)證的噴涂工藝。

RysenTech 噴霧系統(tǒng)的核心是我們的超聲波噴嘴，它使用高頻聲音振動(dòng)產(chǎn)生數(shù)學(xué)定義的液滴的軟霧。這消除了堵塞，因?yàn)椴皇褂脡毫?lái)產(chǎn)生噴霧，并且液滴具有非常窄的液滴分布尺寸，進(jìn)一步有助于沉積層的均勻性。

2、切割保護(hù)膜

切割前在硅片上超聲波噴涂保護(hù)膜

RysenTech 獨(dú)特的涂層技術(shù)已被證明是一種可靠、可重復(fù)且有效的方法，可在切割、研磨和拋光之前將各種化學(xué)物質(zhì)應(yīng)用于硅片和凸塊保護(hù)。常見(jiàn)的化學(xué)品包括 Z-Coat、PMMA 和其他易于去除的化學(xué)品。我們的噴嘴系統(tǒng)可以定制，以滿足客戶對(duì)切割保護(hù)膜的特定涂層需求和挑戰(zhàn)。

RysenTech 超聲波噴涂系統(tǒng)已被證明可用于需要均勻、可重復(fù)的材料涂層的各種應(yīng)用。RysenTech 的涂層系統(tǒng)可以控制從亞微米到 100 微米以上的厚度，并且能夠涂層任何形狀或尺寸，是旋涂和傳統(tǒng)噴涂等其他涂層技術(shù)的可行替代方案。

我們的涂層系統(tǒng)可以使用簡(jiǎn)單的分層技術(shù)對(duì)流速、涂層速度和沉積量進(jìn)行精細(xì)控制。低速噴霧成型將霧化噴霧定義為精確、可控的圖案，避免過(guò)度噴涂，同時(shí)產(chǎn)生非常薄、均勻的涂層。

RysenTech 的超聲波涂層技術(shù)在晶圓保護(hù)涂層工藝中的優(yōu)勢(shì)包括：

·各種表面輪廓的快速、均勻薄膜覆蓋。

·化學(xué)和涂層性能的高度靈活性。

·不堵塞霧化噴霧。

·高轉(zhuǎn)移效率，非常低的浪費(fèi)。

·高度可重復(fù)的成熟噴涂工藝。

3、聚酰亞胺和光刻膠涂層

 RysenTech 超聲波噴涂系統(tǒng)經(jīng)過(guò)驗(yàn)證可用于需要均勻、可重復(fù)的光刻膠或聚酰亞胺薄膜涂層的各種應(yīng)用。RysenTech 的涂層系統(tǒng)可以控制從亞微米到 100 微米以上的厚度，并且能夠涂層任何形狀或尺寸，是旋涂和傳統(tǒng)噴涂等其他涂層技術(shù)的可行替代方案。

聚酰亞胺和光刻膠涂層的常見(jiàn)應(yīng)用包括但不限于 MEMS、透鏡、微流體器件、微電子器件和過(guò)濾器。RysenTech 的涂層系統(tǒng)能夠在平面和 3D 基材上進(jìn)行涂層，通常包括硅晶片、玻璃、陶瓷和金屬。

超聲波噴涂是一種簡(jiǎn)單、經(jīng)濟(jì)且可重復(fù)的光刻膠和聚酰亞胺涂層工藝。RysenTech 超聲波涂層系統(tǒng)可以使用簡(jiǎn)單的分層技術(shù)對(duì)流速、涂層速度和沉積量進(jìn)行精細(xì)控制。低速噴霧成型將霧化噴霧定義為精確、可控的圖案，避免過(guò)度噴涂，同時(shí)產(chǎn)生非常薄、均勻的涂層。

超聲波噴嘴在聚酰亞胺和光刻膠涂層直接噴涂工藝中的優(yōu)勢(shì)包括：

·各種表面輪廓的均勻薄膜覆蓋。

·化學(xué)和涂層性能的高度靈活性。

·不堵塞霧化噴霧。

·高轉(zhuǎn)移效率，非常低的浪費(fèi)。

·高度可重復(fù)的成熟噴涂工藝。

4、EMI屏蔽涂層

具有精確厚度控制的封裝級(jí) EMI（電磁干擾）屏蔽噴涂

超聲波涂層技術(shù)，然后是低溫?zé)峁袒?，為封裝級(jí) EMI（電磁干擾）屏蔽工藝提供了一種成本有效的替代昂貴濺射涂層設(shè)備的替代方案。高性能銀 EMI 屏蔽噴涂材料與全自動(dòng) XYZ 運(yùn)動(dòng)涂層系統(tǒng)一起應(yīng)用于移動(dòng)設(shè)備制造過(guò)程。

RysenTech 的無(wú)堵塞超聲波涂層技術(shù)以功能性和保護(hù)性材料的超薄微米層涂層而聞名。噴嘴的超聲波振動(dòng)有效地分散懸浮液中的顆粒，并在薄膜層中產(chǎn)生非常均勻的顆粒分散，而導(dǎo)電顆粒不會(huì)從懸浮液中沉淀出來(lái)。

噴涂銀填充環(huán)氧樹(shù)脂屏蔽材料已應(yīng)用多年。更薄、更輕的器件設(shè)計(jì)已經(jīng)從板級(jí)屏蔽過(guò)渡到 IC 封裝屏蔽，從而實(shí)現(xiàn)更高的板密度。作為濺射的替代方法，在封裝放置后使用超聲波噴涂涂覆銀填充聚酯涂層。

以濺射技術(shù)成本的一小部分，RysenTech 超聲波噴涂系統(tǒng)已被用作 CVD 替代品，其中成本節(jié)約是制造過(guò)程中的一個(gè)重要問(wèn)題。有效的 EMI 屏蔽噴涂涂層可實(shí)現(xiàn)高處理速度，而不會(huì)因相鄰設(shè)備的電磁場(chǎng)干擾而導(dǎo)致運(yùn)行中斷性能問(wèn)題。

超聲波涂層技術(shù)在EMI屏蔽涂層工藝中的優(yōu)勢(shì)：

·幾何形狀的完整薄膜覆蓋，具有出色的均勻性

·頂面與側(cè)壁厚度比為：1.0 到 ~0.6-0.7

·高吞吐量 (UPH)

·由于顆粒均勻分布，具有出色的表面導(dǎo)電性

·小型設(shè)備的高效屏蔽

·通過(guò)超聲波噴嘴傾斜和旋轉(zhuǎn)在緊湊幾何形狀中實(shí)現(xiàn)最佳側(cè)壁覆蓋

·精確的厚度控制

·靈活、可編程的噴嘴傾斜和旋轉(zhuǎn)功能

·無(wú)背面污染

·粘合性能被證明是優(yōu)秀的

·與濺射相比，簡(jiǎn)單、經(jīng)濟(jì)的技術(shù)

5、倒裝芯片助焊劑

倒裝芯片封裝工藝的精密噴涂助焊劑

超聲波噴涂提供了一種精確、可重復(fù)、可控的噴涂解決方案，用于將焊劑噴涂到接觸墊上。噴涂非常薄、均勻的助焊劑層的能力可防止助焊劑殘留過(guò)多，這會(huì)導(dǎo)致底部填充不良，從而導(dǎo)致產(chǎn)品不可靠。嚴(yán)格控制助焊劑厚度還可以防止芯片浮動(dòng)，避免停機(jī)和不良的芯片連接。最小的過(guò)度噴涂可防止助焊劑接觸無(wú)源器件。其他方法，如噴射、浸焊、和壓力噴嘴噴霧不能施加薄的目標(biāo)焊劑層。通過(guò)自動(dòng)化 XYZ 運(yùn)動(dòng)和輸送能力實(shí)現(xiàn)高吞吐量。多個(gè)噴嘴配置可以進(jìn)一步加快噴涂過(guò)程。

在倒裝芯片封裝應(yīng)用中使用超聲波噴涂的好處：

·高度可控的噴涂避免了過(guò)度噴涂造成的返工成本。

·能夠控制助焊劑厚度，涂層薄至20微米。

·均勻的助焊劑層消除了可能導(dǎo)致芯片和基板報(bào)廢的芯片浮動(dòng)。

·無(wú)堵塞超聲波噴霧需要最少的清潔并提供高重復(fù)性，因?yàn)閲婌F性能不會(huì)因壓力噴嘴的逐漸堵塞而受到影響。

·經(jīng)證明與銦助焊劑兼容。